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Lakesemi bringt das branchenweit erste 1200-V-SiC-Vollbrücken- und Gleichrichtermodul auf den Markt

Finanznachrichten News

HEFEI, China, Oct. 01, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) -- Lakesemi gab bekannt, dass es eine Siliziumkarbid-Vollbrücke der neuen Generation mit Gleichrichtermodul - LSCT30PV120B9G - entwickelt hat.

Dieses neue Modul hat einen sehr geringen On-Widerstand. Darüber hinaus hat es auch die Eigenschaften einer niedrigen Kapazität, eines Hochgeschwindigkeitsschaltens und einer hohen Schaltfrequenz, was hilfreich ist, um die schnelle Reaktion von Geräten und die Energieeinsparung zu verbessern. Daher hat es eine breite Palette von Anwendungen, wie Motorantriebe, Schaltmodus-Stromversorgung und USV.

LSCT30PV120B9G ist überlegen in Siliziumkarbid Vollbrücke mit Gleichrichtermodul. Der VDSS-Index erreichte 1200V. Das Modell hat einen On-State-Widerstand von 88mO und eine Gesamt-Gate-Ladung von 347nc. Wärmetechniker könnten von der extrem niedrigen transienten thermischen Impedanz von 0,28 ° C / W bei 1 ms für einen Temperaturschock profitieren.

In Bezug auf den Gleichrichter erreicht seine sich wiederholende Spitzen-Sperrspannung 1800 V, der maximale RMS-Durchlassstrom beträgt 50 A und der Stoßstrom (@tp = 10 ms) beträgt 315 A. Der Gleichrichter kann in komplexen Arbeitsumgebungen eine gute Stabilität aufrechterhalten.

Der Betriebstemperaturbereich (Ta) dieses Moduls liegt bei -40 °C bis +125 °C, was den Einsatz in der Industrie und in rauen thermischen Umgebungen gewährleistet. In der Zwischenzeit verwendet es fortschrittliche Verpackungstechnologie, seine Größe beträgt nur 62,8 mm ×56,7 mm × 16,5 mm, so dass es dort eingesetzt werden kann, wo der Platz knapp ist.

Der LSCT30PV120B9G ist offiziell in den Handel gekommen. Weitere Informationen finden Sie unter:
http://www.lakesemi.com/index.php?case=archive&act=show&aid=572

Lakesemi, ein in Hefei, China, ansässiges Startup-Unternehmen, konzentriert sich auf Leistungshalbleiter. Lakesemi ist ein Pionier von Halbleiterprodukten mit großer Bandlücke wie GaN oder SiC-basiertem MOSFET. Es bietet auch siliziumbasierte abgeschirmte Gate-Transistoren, IGBTs, IGBT-Module, IPM usw.

Kontaktinformationen:
Rentai Xiao
Generaldirektor, Lakesemi
xiaort@lakesemi.com
(+86)15874257525

Hongwei Zhang
Stellvertretender Geschäftsführer, Lakesemi
zhanghw@lakesemi.com
(+86)13901948268

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Bild 1: Siliziumkarbid-Vollbrücke mit Gleichrichtermodul - LSCT30PV120B9G


Das branchenweit erste 1200-V-SiC-Vollbrücken- und Gleichrichtermodul



Dieser Inhalt wurde über den Pressemitteilungsverteilungsdienst bei Newswire.com veröffentlicht.

Anhang

  • Siliziumkarbid Vollbrücke mit Gleichrichtermodul - LSCT30PV120B9G (https://ml.globenewswire.com/Resource/Download/18ae38e9-e319-4875-ae7e-14df80b48638)

© 2022 GlobeNewswire (Europe)
Dieser Artikel wurde möglicherweise maschinell übersetzt. Zur Originalversion.
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