ARMONK (dpa-AFX) - Toppan Photomask gab bekannt, dass es eine gemeinsame Forschungs- und Entwicklungsvereinbarung mit IBM in Bezug auf den 2-Nanometer- oder nm-Logik-Halbleiterknoten unter Verwendung der Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) getroffen hat. Die Vereinbarung umfasst auch die Entwicklungskapazität für High-NA-EUV-Fotomasken auf Halbleitern der nächsten Generation.
Im Rahmen der Vereinbarung beabsichtigen IBM und Toppan Photomask, über einen Zeitraum von fünf Jahren, beginnend im ersten Quartal 2024, zusammenzuarbeiten, um die Kapazitäten für Fotomasken im Albany NanoTech Complex in Albany, NY, USA, und im Asaka-Werk von Toppan Photomask in Niiza, Japan, zu verbessern.
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