Bei einem Festakt feierte die Toshiba Electronic Devices Storage Corporation ("Toshiba") heute die Fertigstellung eines neuen 300-Millimeter-Wafer-Produktionsstandorts für Leistungshalbleiter und eines Bürokomplexes der Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa, Japan, einem der wichtigsten Unternehmen des Toshiba-Konzerns. Der Abschluss der Baumaßnahmen ist ein wichtiger Meilenstein für die Phase 1 des mehrjährigen Investitionsprogramms von Toshiba. Toshiba wird nun mit der Installation der Anlagen fortfahren, um in der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2024 die Massenproduktion zu starten. Bei Erreichen des Phase-1-Vollbetriebs wird die Produktionskapazität von Toshiba für Leistungshalbleiter überwiegend MOSFETs[1] und IGBTs[2] 2,5-mal so hoch sein wie 2021, als der Investitionsplan erstellt wurde[3]. Die Entscheidungen im Zusammenhang mit dem Bau und der Inbetriebnahme von Phase 2 werden abhängig von der Marktentwicklung getroffen.
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Right: Phase 1 of the new fabrication facility, foreground: the new office building (Photo: Business Wire)
Die neue Produktionsstätte wird einen wichtigen Beitrag zur Umsetzung des Business Continuity Plan (BCP) von Toshiba leisten: Es verfügt über eine erdbebensichere Struktur, um Erschütterungen zu absorbieren, sowie über eine redundante Stromversorgung. Strom aus erneuerbaren Energiequellen und Sonnenkollektoren auf dem Dach des Gebäudes (Onsite-PPA-Modell) werden den Energiebedarf des Standorts zu 100 abdecken.
Um die Produktqualität und die Produktionseffizienz zu steigern, wird künstliche Intelligenz (KI) eingesetzt. Toshiba erwartet Fördermittel des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie zur Subventionierung seiner Aufwendungen für einen Teil der Produktionsanlagen.
Leistungshalbleiter übernehmen eine zentrale Funktion für die Stromversorgung und -steuerung und sind unverzichtbare Bauteile für die Verbesserung der Energieeffizienz von elektrischen Geräten jeder Art. Vor dem Hintergrund der Transformation zur E-Mobilität und der Automation von Industrieanlagen ist langfristig mit einem starken Wachstum der Nachfrage zu rechnen. In der zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2022 hat Toshiba mit der Produktion von Leistungshalbleitern auf einer neuen Produktionslinie für 300-Millimeter-Wafer im bestehenden Werk von Kaga Toshiba Electronics begonnen. Mit der neuen Produktionsstätte wird das Unternehmen die Wafer-Herstellung weiter erhöhen und einen noch größeren Beitrag zur Klimaneutralität leisten.
[1] Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
[2] Bipolartransistor mit isoliertem Gate
[3] Gesamte Produktionskapazität für 200- und 300-Millimeter-Wafer (200-Millimeter-Äquivalent)
Überblick über die Kaga Toshiba Electronics Corporation
Sitz: 1-1, Iwauchi-machi, Nomi-shi, Präfektur Ishikawa, Japan
Gründung: Dezember 1984
President und Representative Director: Satoshi Aida
Belegschaft: 1.150 (Stand: 31. März 2024)
Hauptprodukte: Diskrete Halbleiter (Leistungshalbleiter, Kleinsignal-Bauteile und optoelektronische Bauteile)
Web: https://www.toshiba-kaga.co.jp/ (nur Japanisch)
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Über die Toshiba Electronic Devices Storage Corporation
Die Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, ein führender Anbieter moderner Halbleiter- und Speicherlösungen, kann auf mehr als ein halbes Jahrhundert vielfältiger Erfahrungen und Innovationen bei der Bereitstellung von diskreten Halbleitern, System-LSIs und Festplattenprodukten für Kunden und Geschäftspartner zurückgreifen.
Weitere Informationen finden Sie unter https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html.
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