Der US-Halbleiterhersteller Onsemi hat eine Investition von bis zu zwei Milliarden US-Dollar angekündigt, um eine Siliziumkarbid-Fertigungsstätte in Tschechien zu errichten. Die Anlage soll SiC-Leistungshalbleiter unter anderem für Elektrofahrzeuge produzieren. Die Investition von Onsemi in Tschechien steht noch unter dem Vorbehalt der endgültigen behördlichen Genehmigung und der Gewährung von Fördermitteln durch die tschechische Regierung, wie das ...Den vollständigen Artikel lesen ...
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