Infineon hat erfolgreich 300-mm-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in seiner Silizium-Fabrik hergestellt. Dies ist ein bedeutender Fortschritt für die GaN-Produktion, die bisher auf 150- und 200-mm-Wafer in der Massenproduktion beschränkt war. GaN-Bauelemente werden in der Regel auf Siliziumsubstraten hergestellt, da Siliziumwafer weithin verfügbar und kostengünstig sind. Trotz einiger gegenteiliger Befürchtungen scheint es unwahrscheinlich, dass Infineon MOCVD-Anlagen zugunsten anderer Epitaxieverfahren auf Standard-Silizium-Anlagen umgehen könnte, vor allem, wenn die Produktion hochgefahren wird. Aixtron hat bestätigt, dass es an 300-mm-GaN-Anlagen arbeitet und dass Pilotanlagen bei einigen Kunden in Betrieb sind, obwohl nicht klar ist, ob Infineon zu diesen Kunden gehört. Aixtron entwickelt seit 2021 eine 300mm-Anlage im Rahmen des EU-Projekts YESvGaN und soll Gerüchten zufolge auch eine 300mm-Anlage an die chinesische GaN-Wafer-Epi-Foundry Enkris geliefert haben. Die Analysten von mwb research sind daher der Meinung, dass Aixtron nicht zu spät in den 300mm-Markt einsteigt. Die Umstellung auf die 300mm-Produktion und die damit verbundenen Kostensenkungen sollte die GaN-Akzeptanz beschleunigen, wovon letztlich auch die Ausrüster profitieren werden. Die Analysten von mwb research lassen ihre Schätzungen unverändert und bekräftigen ihre Kaufempfehlung mit einem Kursziel von EUR 29,00. Die vollständige Analyse ist abrufbar unter https://www.research-hub.de/companies/AIXTRON%20SE
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