Die Vorstellung der weltweit ersten 300-mm-GaN-Wafer-Technologie durch Infineon nach der Übernahme von GaN Systems ist ein entscheidender Durchbruch in der Halbleiterindustrie. Mit dieser Innovation ist Infineon seinen Mitbewerbern weit voraus und kann die Halbleiterproduktion im Vergleich zu 200-mm-Wafern um das 2,3-fache steigern. GaN, das in Anwendungen wie KI-Systemen, Solarwechselrichtern und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge immer mehr an Bedeutung gewinnt, wird die Industrie mit seiner überlegenen Effizienz, Geschwindigkeit und Fähigkeit, hohe Temperaturen und Spannungen zu bewältigen, revolutionieren. Die Skalierbarkeit der 300-mm-GaN-Wafer von Infineon, die mit bestehenden Silizium-Produktionslinien kompatibel sind, dürfte die Kosten senken und die GaN-Preise näher an die Silizium-Preise heranbringen, was die Verbreitung von GaN beschleunigt. Während für das nächste Jahr bescheidene Umsätze erwartet werden, ist die Massenproduktion von 300 mm GaN noch einige Jahre entfernt. Der weltweite GaN-Markt wird bis 2030 voraussichtlich um 26 % (CAGR) wachsen, ausgehend von einem Wert von derzeit USD 2,5 Mrd., Infineon hält einen Anteil von etwa 15-20 % an diesem Markt und ist mit seinen 450 GaN-Experten und mehr als 350 Patenten in der Lage, in diesem expandierenden Bereich eine führende Rolle zu übernehmen. Diese Innovation stärkt die Marktführerschaft von Infineon und zeigt, dass das Unternehmen alle drei wichtigen Halbleitermaterialien beherrscht. mwb research empfiehlt die Aktie mit einem Kursziel von EUR 40 zum Kauf. Die vollständige Analyse ist abrufbar unter https://www.research-hub.de/companies/Infineon%20Technologies%20AG
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